22.04.2023 г. состоялась очередная научная сессия отделения физических наук Российской академии наук (ОФН РАН). Сессия прошла в ФТИ им. А.Ф.Иоффе (г. Санкт-Петербург) под руководством академика Роберта Арнольдовича Суриса. Тема сессии была: "Гамма-кванты и нейтрино из космоса: что видим сейчас и что нужно, чтобы увидеть больше". В работе сессии приняли участие сотрудники лаборатории А.А. Лутовинов и В.В. Левин. А.А. Лутовинов выступил с докладом "Статус и перспективы российских орбитальных телескопов для астрофизики высоких энергий". В.В. Левин выступил с докладом "Детекторы и интегральные схемы орбитальных телескопов".
Аннотация доклада А.А. Лутовинова:
В докладе представлен обзор российских космических инструментов, предназначенных для проведения исследований в области астрофизики высоких энергий, как работающих в настоящее время на орбите, так и планируемых к запуску и находящихся в стадии разработки. Особое внимание будет уделено текущему состоянию телескопа ART-XC им. М.Н. Павлинского обсерватории СРГ, выполняемой им программе наблюдений и ее результатам. Также будут представлены текущий статус проекта МВН на МКС и результаты проработки рентгеновских и гамма-телескопов будущих миссий (МВН М2, ART-XC/Г400, комптоновский телескоп).
Аннотация доклада В.В. Левина:
В ИКИ РАН выполнена разработка нескольких видов детекторов рентгеновского излучения для телескопов и спектрометров астрофизического назначения. В частности, для проекта МВН (российский сегмент МКС) разработан пиксельный детектор на основе кристалла CdTe и ИС VA32TA, предназначенный для проведения спектрометрии в диапазоне энергий от 4 до 120 кэВ. Для рентгеновского телескопа ART-XC им. М.Н. Павлинского на борту обсерватории Спектр-РГ разработан двусторонний стриповый детектор на основе кристалла CdTe и ИС VA64TA1, работающий в диапазоне от 4 до 120 кэВ. При выполнении эскизного проекта (ЭП) по теме Гамма-400 разработан проект кремниевого детектора с 192х192 пикселями размером 150 мкм. Каждый пиксел имеет полупроводниковую структуру типа DepFET (Depleted Field Effect Transistor). В рамках ЭП изготовлен и испытан макет данного детектора уменьшенного размера (32х32 пикселя). Для ЭП по теме МВН-М2 разработан проект быстродействующего кремниевого детектора на основе структур типа SDD (Silicon Drift Detector). Для обработки сигналов детектора была разработана, изготовлена и испытана специализированная ИС SDDASIC3. В настоящее время ведутся работы по проектированию детектора с 1024 SDD-структурами (32х32 пикселя) и специализированной ИС для предварительной обработки сигналов.